MT47H64M16HR-25E IT:H vs W971GG6SB25I 비교
다음의 상세 나란히 비교: MT47H64M16HR-25E IT:H 제조: Micron Technology 및 W971GG6SB25I 제조: Winbond. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Micron Technology
MT47H64M16HR-25E IT:H - 1Gb DDR2 SDRAM 400MHz 84-FBGA | Micron
MT47H64M16HR-25E IT:H ✓ 활성
사양 비교
| 파라미터 | MT47H64M16HR-25E IT:H | W971GG6SB25I |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Winbond |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $2.21 | $1.48 |
| 메모리 유형 | DDR2 SDRAM (volatile) | Volatile, DDR2 SDRAM |
| 메모리 크기 | 1 Gbit (64M x 16) | — |
| 메모리 구성 | 8 Meg x 16 x 8 banks | 8M words × 8 banks × 16 bits |
| Clock Frequency | 400 MHz | 200 MHz |
| Access Time | 400 ps | — |
| Data Rate (effective) | 800 MT/s | — |
| 인터페이스 | Parallel (byte-wide) | — |
| Prefetch Architecture | 4n-bit | — |
| Supply Voltage VDD | 1.8 V ±0.1 V | — |
| Supply Voltage VDDQ | 1.8 V ±0.1 V (SSTL_18) | — |
| I/O Standard | JEDEC SSTL_18-compatible | — |
| Data Strobe | Differential (DQS, DQS#) | — |
| 패키지 | 84-TFBGA (8 mm x 12.5 mm) | — |
| 동작 온도 | -40C to +85C (Industrial, IT:H) | -40 °C to +85 °C (industrial) |
| RoHS 상태 | Compliant (lead-free) | Compliant (lead-free) |
| Density | — | 1 Gbit (1,073,741,824 bits) |
| Maximum Data Rate | — | 400 MT/s (DDR2-800) |
| Random Access Time | — | 57.5 ns |
| Bus Width | — | 16 bits |
| Supply Voltage (VDD / V_DDQ) | — | 1.8 V (JEDEC SSTL-18) |
| 인터페이스 유형 | — | Parallel, SSTL-18 |
| Package Type | — | 84-WBGA / 84-TFBGA, 8.0 × 12.5 mm |
| 실장 유형 | — | Surface Mount |
| Number of Pins / Balls | — | 84 |
| Bank Count | — | 8 |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes (per JEDEC DDR2) |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| Speed Grade Suffix | — | 25I (DDR2-800 6-6-6, industrial) |
| Compliance | — | JEDEC DDR2 standard |